Trong khuôn khổ Hội nghị Di động Thế giới Thượng Hải 2017 (Mobile World Congress Shanghai), Qualcomm Incorporated (NASDAQ: QCOM) công bố việc công ty con là Qualcomm Technologies, Inc., cho ra mắt nền tảng di động Qualcomm® SnapdragonTM 450, thành viên mới thuộc gia đình nền tảng di động Snapdragon 400.
Được dành riêng cho các điện thoại thông minh và máy tính bảng tầm trung, Snapdragon 450 là thành viên đầu tiên của dòng Snapdragon 400 sử dụng quy trình 14nm FinFET, và được thiết kế để mang lại cải thiện đáng kể về thời lượng pin, đồ họa và năng lực tính toán, xử lý hình ảnh cũng như kết nối LTE so với thế hệ trước là nền tảng di động Snapdragon 435.
Nền tảng di động Snapdragon 450 tập trung cải tiến bốn nhóm chức năng nổi bật so với thế hệ tiền nhiệm:
- CPU và GPU được cải tiến: CPU kiến trúc ARM với tám nhân Cortex 53 có hiệu năng cao hơn, tăng 25% năng lực tính toán so với thế hệ tiền nhiệm. Bên cạnh đó GPU Qualcomm® AdrenoTM 506 được tích hợp cũng có năng lực xử lý đồ họa tăng 25% so với Snapdragon 435.
- Thời lượng pin: các cải tiến về quản lý điện năng giúp tăng 4 giờ sử dụng so với Snapdragon 435, và giảm 30% tiêu hao điện năng khi chơi game, giúp người dùng kết nối lâu hơn và làm việc hiệu quả hơn. Snapdragon 450 cũng hỗ trợ công nghệ Qualcomm® Quick ChargeTM 0 – công nghệ giúp sạc một chiếc điện thoại thông minh thông thường từ 0 đến 80% pin chỉ trong vòng 35 phút.
- Camera và đa phương tiện: Snapdragon 450 là thành viên đầu tiên thuộc dòng 400 hỗ trợ hiệu ứng Bokeh thời gian thực (live Bokeh). Snapdragon 450 cũng được thiết kế để cải thiện so với các thế hệ trước với khả năng hỗ trợ camera kép nâng cao 13+13MP, hoặc đến 21MP đối với camera đơn; lấy nét tự động lai; và quay video 1080p và phát lại với tốc độ lên đến 60fps, hỗ trợ slow-motion. Snapdragon 450 cũng hỗ trợ màn hình full HD 1920×1200 cũng như Qualcomm® HexagonTM DSP, mang lại hiệu năng tốt hơn và tiêu thụ điện năng ít hơn đối với đa phương tiện, camera và xử lý cảm biến so với thế hệ trước.
- Kết nối và USB: người dùng sẽ được trải nghiệm kết nối LTE tốc độ cao nhờ modem Snapdragon X9 LTE, sử dụng công nghệ gộp sóng mang 2x20MHz cho cả hai đường tải xuống và tải lên cho tốc độ tối đa lần lượt là 300 Mbps và 150 Mbps, hỗ trợ phần lớn các mạng di động với Snapdragon All Mode, và 802.11ac với hỗ trợ MU-MIMO. Snapdragon 450 cũng là vi xử lý đầu tiên thuộc dòng 400 có hỗ trợ USB 3.0, cho tốc độ truyền dữ liệu qua USB nhanh hơn.
Ông Kedar Kondap, Phó Chủ tịch, bộ phận Quản lý Sản phẩm thuộc Qualcomm Technologies, Inc., cho biết: “Gần đây chúng tôi đã thực hiện rất nhiều thay đổi đối với các nền tảng di động Snapdragon, đây là một phần trong tầm nhìn của chúng tôi trong việc mang đến các chứng năng di động tiên tiến nhất với giá trị tốt nhất có thể, và nền tảng di động Snapdragon 450 đóng vai trò là một minh chứng khác cho tầm nhìn đó. Với Snapdragon 450, người dùng sẽ được trải nghiệm những cải thiện ngoạn mục về hiệu năng, kết nối, thời lượng pin cũng như năng lực xử lý hình ảnh.”
Cho đến thời điểm hiện tại, hơn 1900 thiết kế dựa trên các nền tảng di động Snapdragon 400 đã được tung ra hoặc sắp có mặt. Các thiết bị thương mại mẫu sử dụng Snapdragon 450 được kỳ vọng sẽ được đưa ra vào quý 3 năm 2017, và nền tảng này sẽ được phổ biến trên các thiết bị dành cho người dùng vào cuối năm nay.